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Assemblage français Monté dans notre atelier parisien
Garantie 2 ansPièces & main d’œuvre incluses
Assistance illimitéNos experts à vos cotés à vie
- Capacité: 2 To
- Format: M.2 2280
- Interface: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe™ 2.0
- Vitesse de lecture séquentielle: jusqu'à 7250 Mo/s
- Vitesse d'écriture séquentielle: jusqu'à 6300 Mo/s
- Vitesse de lecture aléatoire (4KB, QD32): jusqu'à 1 000 000 IOPS
- Vitesse d'écriture aléatoire (4KB, QD32): jusqu'à 1 350 000 IOPS
- Contrôleur: Samsung in-house Controller (souvent appelé Piccolo ou S4LY022)
- Type de mémoire Flash NAND: Samsung V-NAND TLC (souvent 236 couches)
- Endurance (TBW - Total Bytes Written): 1200 To
- MTBF (Temps moyen entre pannes): 1 500 000 heures
- Dimensions (L x l x H): 80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm
- Poids: 9 g
- Caractéristiques:
- Technologie HMB (Host Memory Buffer) pour une gestion de la mémoire optimisée sans DRAM dédiée
- Algorithme de ramasse-miettes automatique (Auto Garbage Collection Algorithm)
- Chiffrement matériel AES 256 bits (Class 0) / TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Support TRIM et S.M.A.R.T
- Contrôle thermique intelligent grâce à l'étiquette de diffusion de la chaleur et l'algorithme de contrôle thermique avancé
- Faible consommation d'énergie (Lecture typique 4.6 W, Écriture typique 4.2 W)
- Compatible avec le logiciel Samsung Magician pour l'optimisation et la gestion du SSD
- Polyvalence avec compatibilité PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2
- Intelligent TurboWrite 2.0 pour des performances d'écriture rapides sur des blocs plus larges.
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