SAMSUNG 990 EVO PLUS 2 To PCIe 5.0
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      SAMSUNG 990 EVO PLUS 2 To PCIe 5.0

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      • Garantie 2 ansGarantie 2 ansPièces & main d’œuvre incluses
      • Assistance illimitéAssistance illimitéNos experts à vos cotés à vie
      • Capacité: 2 To
      • Format: M.2 2280
      • Interface: PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe™ 2.0
      • Vitesse de lecture séquentielle: jusqu'à 7250 Mo/s
      • Vitesse d'écriture séquentielle: jusqu'à 6300 Mo/s
      • Vitesse de lecture aléatoire (4KB, QD32): jusqu'à 1 000 000 IOPS
      • Vitesse d'écriture aléatoire (4KB, QD32): jusqu'à 1 350 000 IOPS
      • Contrôleur: Samsung in-house Controller (souvent appelé Piccolo ou S4LY022)
      • Type de mémoire Flash NAND: Samsung V-NAND TLC (souvent 236 couches)
      • Endurance (TBW - Total Bytes Written): 1200 To
      • MTBF (Temps moyen entre pannes): 1 500 000 heures
      • Dimensions (L x l x H): 80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm
      • Poids: 9 g

      • Caractéristiques:
        • Technologie HMB (Host Memory Buffer) pour une gestion de la mémoire optimisée sans DRAM dédiée
        • Algorithme de ramasse-miettes automatique (Auto Garbage Collection Algorithm)
        • Chiffrement matériel AES 256 bits (Class 0) / TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
        • Support TRIM et S.M.A.R.T
        • Contrôle thermique intelligent grâce à l'étiquette de diffusion de la chaleur et l'algorithme de contrôle thermique avancé
        • Faible consommation d'énergie (Lecture typique 4.6 W, Écriture typique 4.2 W)
        • Compatible avec le logiciel Samsung Magician pour l'optimisation et la gestion du SSD
        • Polyvalence avec compatibilité PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2
        • Intelligent TurboWrite 2.0 pour des performances d'écriture rapides sur des blocs plus larges.
      Samsung
      MZ-V9S2T0BW
      387 Produits

      Références spécifiques

      EAN13
      8806095575650

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